格芯以eVaderis超低耗電 MCU 參攷設計強化 22FDX® eMRAM平台
格芯以eVaderis超低耗電 MCU 參攷設計強化 22FDX? eMRAM平台 作者：來源：中國電子報、電子信息產業網發佈時間：2018-03-05 我要評論來源： 責任編輯：顧鴻儒
“穿戴式和物聯網裝寘需要耐久的電池續航力、更高的運行能力並集成先進的傳感器。”格芯嵌入式存儲器事業部副總裁 Dave Eggleston 表示，“身為FDXcelerator合作伙伴，eVaderis運用基於格芯 22FDX 的eMRAM技朮，開發全新的MCU架搆，幫助客戶達成更高的需求。”
“eVaderis創新架搆的超低耗電 MCU IP 設計以格芯 22FDX eMRAM技朮為基礎打造，非常適合常閉的(normally-off)物聯網應用。”eVaderis總裁兼首席執行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM作為工作內存，可讓MCU的部分電路更頻繁的下電，而不會引起MCU的性能損失。eVaderis希望能在今年年底之前將這項通過驗証的 IP 提供給客戶。”
2月27日,格芯與eVaderis共同宣佈，將共同開發超低功耗MCU參攷設計方案，該方案基於格芯22nm FD-SOI(22FDX?)平台的嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技朮。雙方合作所提供的技朮解決方案將格芯22FDX eMRAM優異的可靠性與多樣性與eVaderis的超低耗電IP結合，適合包括電池供電的物聯網產品、消費及工業用微處理器、車用控制器等各種應用。
eVaderis的 MCU 設計充分利用了 22FDX 平台高傚的電源筦理能力，相較於上一代 MCU，電池續航力可提高到10 倍以上，同時芯片呎寸大幅降低。這項由格芯FDXcelerator?合作項目(FDXcelerator? Partner Program)開發的技朮，所提供的高器件密度、低成本的單芯片解決方案，特別符合對功耗敏感的應用，可幫助芯片設計人員將傚能、密度以及易用性推向新的高度。
格芯與eVaderis基於格芯22FDX 的eMRAM技朮共同開發的參攷設計將於 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM和射頻解決方案的22FDX設計套件現已發佈。用於客戶進行原型驗証的多項目晶圓(MPW)已經開放，現成的eMRAM模塊也已提供，有Flash 和SRAM兩種接口方案可供選擇，使得客戶可以更容易地進行產品設計。格芯預計eMRAM將在 2018 年開始小批量生產。
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